武汉物数所芯片原子磁强计研究取得进展
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文章来源：武汉物理与数学研究所 发布时间：2019-09-09 【字号：小 中 大 】 浏览量：89
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目前技术上较为成熟的芯片级原子磁强计采用双共振方案，其磁场灵敏度不高，在10pT/Hz1/2量级。传统的高精度原子磁强计采用法拉第旋光原理设计，由于需采用传播方向相互垂直的双束光与原子作用，因此难以芯片化。高级工程师张奕等采用单束多色多偏振光与原子作用，实现了与传统法拉第旋光效应原子磁强计方案相同的作用效果，实测得到的磁场灵敏度为20fT/Hz1/2。由于该方案采用单束光替代双束光与原子作用，故可大大减小探头体积，易于实现芯片化。
该项工作受到科技部重点研发计划、自然科学基金青年基金资助。
论文链接
图：单束多色多偏振光法拉第旋光效应原子磁强计方案原理