长鑫存储公布新路线图：已开始生产19nm计算机存储器更新时间：2019/12/4 17:32:42  【字体： 】        

长鑫存储技术有限公司（CXMT）已经开始生产基于19nm工艺的计算机存储器，且该公司至少制定了两条以上的10nm级制程的路线图，计划在未来生产各种类型的动态随机存储器（DRAM）。为了提升产量，长鑫存储还计划建造另外两座晶圆厂。作为中国制造2025项目的一部分，其有望支撑全球一半左右的DRAM需求。
　　
　　目前长鑫存储的月产能约为2万片晶圆，但随着该公司订单量的增长，产量也将逐渐提升。预计到2020年底，其10nm级工艺技术的产能为12万片晶圆（12英寸），媲美SK海力士在中国无锡的工厂。
　　
　　CXMT正在使用其10G1技术（19nm工艺）来制造4Gb和8GbDDR4存储器芯片，目标在2020年第一季度将其商业化并投放市场，该技术将用于在2020下半年制造的LPDDR4X存储器。
　　
　　从路线图来看，CXMT还规划了针对DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及LPDDR5的10G3（17nm工艺）产品。尽管目前尚无法撼动业内老牌竞争对手，但该公司相当重视创新工艺的研发和产能的扩张。
　　
　　预计CXMT10G5工艺将使用HKMG和气隙位线技术，并在远期使用柱状电容器、全能栅极晶体管、以及极紫外光刻（EUVL）工艺。
　　
　　尽管该公司计划于2019年初开始生产DDR4内存，但新路线图已经推迟了一年。最后，该公司还计划再建两座DRAM晶圆厂。